中科院有喜讯传出！有望与台积电强强联合，打破困境！

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在全世界的范围之内，芯片代工这块领域，台积电是其中技术最为先进的，而且残次品出现最少的厂商，但是价格会比万年老二三星贵一些。因为如此优秀，所以会有众多厂商想要与之合作。

只是是否要接受这来自四面八方的橄榄枝，还是要看台积电自己的意愿。

美国曾经为了能够掌握芯片产业，还多次修改芯片规则，并让许多巨头产业不能自由出货，台积电也是其中之一。为了“引诱”台积电，美国甚至还画了一个巨大的“蓝图”，那就是让台积电在美国建厂，。并把关键技术的数据分享给美国，诚意满满地诉说自己可以提供高达520亿美元的补贴。

表面是给予补贴，实际上是想窃取台积电的关键机密。之前的台积电是有希望在美国建立工厂的，可是所需的成本太高了，还一再降低了对求职者的学历要求，加上美国又提出如此“得寸进尺”的要求，种种原因之下，在美国大量建厂的目标就搁置了。

目前台积电在美国没建立几座工厂，建立其中一座工厂是5纳米级别的晶圆工厂，主要原因是来自这条芯片的生产线大都采用的是美国方面的技术和相关设备。也就是说这个工厂生产的产品高度依赖美国，所以才能在美国建立。就好比如说，美国控制下的荷兰阿斯麦公司，阿斯麦公司能够制造高级芯片的EUV光刻机就是台积电总是不能绕开的设备。

台积电创始人张忠谋曾经对外公开表示过，对于美国画下大饼的态度，那就是认为美国不可能会掌握完完全全的全球芯片产业链，就是是投入了520亿美元这样的巨资，也不可能会制造出一条完完整整的产业链。

也就是说美国虽然有足够大的野心，但是美国的实力却配不上美国的狼子野心。

对于打造产业链，我们中国也有自己的理想，如果台积电能够愿意和大陆的芯片厂商合作的话，台积电面临的问题将会一蹴而就，如果拿光刻机来说，中科院已经取得了不错的成就，在光源、物镜等等关于EUV光刻机的核心领域有所建树，另外上海微电子的新一代国产光刻机也即将出产。也就是说国产光刻机的出产只是临门一脚罢了。

不仅如此，最近中科院又传来好消息，中科院在半导体材料方面取了了重大成果。

非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）晶体管领域上面中科院取得了重大突破。

据有关资料表明。非晶铟镓锌氧化物a-IGZO是能够实现高密度在三维的维度上面集合成的最好的选沟道材料之一。这次技术的目的就是让晶体管在芯片上的集成密度有所提高。提高晶体管越密集，技术也就越先进，所以对于非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）的探索是非常必要的。

中科院的这一次成就，很有可能助力台积电稳坐行业第一的宝座。但万事都有一个前提，那就是台积电方面愿不愿意与中科院为代表的的一众中企实行有效的合作了。

现如今的局面对于台积电来说并不是很乐观，那个万年老二，也就是韩国三星。眼睛可是死死地盯着台积电，想要超越台积电的心也不是一天两天了。

三星方面动作也很频繁，虽然良品率没有台积电高，但是三星的优势就是价格也没有台积电高。三星在3纳米方面的制程上已经率先实现了量产，反观台积电的3纳米芯片至少要等到今年的下半年。这么说来，三星在3纳米芯片制程上面有可能会比台积电要先进，但是市场的反馈也很重要，前面说道三星的芯片价格虽然比较平民，但是其质量就有点“难以言喻”了。所以是否能在这方面超过台积电，还是要看后期的情况如何。

但是台积电面临局面还是非常严峻，前面有虎后面有狼，只能奋力一搏了，前面是三星已经成功量产3纳米的芯片，后面是自己研究2纳米方面的芯片不太顺利。

台积电在2纳米的芯片工艺上使用的GAA技术，然而对于GAA技术，三星在3纳米的芯片工艺上也是全面采用的这项技术，也就是说此项技术的成熟度，三星是有可能会超越台积电。

众多问题中关键的问题在于，如何提升晶体管的密度，对于这方面前面已经提到，中科院已经完美地解决了这方面的问题。

之前受到摩尔定律的高度影响，芯片的发展在后期已经进入了“老年”状态，也就是说发展和老人一样，“行动”非常缓慢，但是如果在晶体管材料方面有打的突破，那么就像给老人打了一剂强心剂，芯片也可以“老当益壮”了，在集成密度上面能够费力更小，收益更大了。

如果台积电选择和中科院合作，无疑是个不错的选择，强强联合的情况下，就能打破前有追兵后有老虎的险境了。只是这一切还要看台积电如何抉择了。我们能够研发出更为先进的高科技也不会再像从前那样，傻傻把“真心”献出去，得到却是一颗“黑心”。对此，你是怎么看的呢，欢迎评论、点赞、转发。